铝碳化硅均热片
• 原材料: AISiC
• 成型工艺:模具铸造成型/CNC
• 尺寸精度:±0.05mm
• 平面度:<0.05
• 粗糙度:外观面Ra1.6;粘接面Ra2.0以上
• 最小设计厚度: 0.3mm
• 性能参数:热导率>200(W/mK)25℃,线膨胀系数7(CTEppm/℃),密度3.0(g/cm3)
• 镀层处理:化学镀暗镍,厚度10-25μm
• 盐雾时间:48hrs
• 高温考核:270℃30min
• 应用封装: FPGA/CBGA/CCGA类陶瓷基板封装用散热盖、热沉
• 适用领域:航空航天,军工国防,通信基站等领域
• 材料特性:轻质材料,可降低BGA中每个焊球承受的重量;抗弯强度高,在组装过程中可以有效控制翘曲以改善焊接;线膨胀系数与陶瓷基板材料及芯片材料相匹配,有效保证了封装后散热通道,提高了器件的可靠性
• 成型工艺:模具铸造成型/CNC
• 尺寸精度:±0.05mm
• 平面度:<0.05
• 粗糙度:外观面Ra1.6;粘接面Ra2.0以上
• 最小设计厚度: 0.3mm
• 性能参数:热导率>200(W/mK)25℃,线膨胀系数7(CTEppm/℃),密度3.0(g/cm3)
• 镀层处理:化学镀暗镍,厚度10-25μm
• 盐雾时间:48hrs
• 高温考核:270℃30min
• 应用封装: FPGA/CBGA/CCGA类陶瓷基板封装用散热盖、热沉
• 适用领域:航空航天,军工国防,通信基站等领域
• 材料特性:轻质材料,可降低BGA中每个焊球承受的重量;抗弯强度高,在组装过程中可以有效控制翘曲以改善焊接;线膨胀系数与陶瓷基板材料及芯片材料相匹配,有效保证了封装后散热通道,提高了器件的可靠性