铝碳化硅均热片
原材料: AISiC
成型工艺:模具铸造成型/CNC
尺寸精度:±0.05mm
平面度:<0.05
粗糙度:外观面Ra1.6;粘接面Ra2.0以上
最小设计厚度: 0.3mm
性能参数:热导率>200(W/mK)25℃,线膨胀系数7(CTEppm/℃),密度3.0(g/cm3)
镀层处理:化学镀暗镍,厚度10-25μm
盐雾时间:48hrs
高温考核:270℃30min
应用封装: FPGA/CBGA/CCGA类陶瓷基板封装用散热盖、热沉
适用领域:航空航天,军工国防,通信基站等领域
材料特性:轻质材料,可降低BGA中每个焊球承受的重量;抗弯强度高,在组装过程中可以有效控制翘曲以改善焊接;线膨胀系数与陶瓷基板材料及芯片材料相匹配,有效保证了封装后散热通道,提高了器件的可靠性
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