铝碳化硅材料(AlSiC)性能有哪些介绍
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铝碳化硅(AlSiC)金属基热管理复合材料,是电子元器件专用电子封装材料,主要是指将铝与高体积分数的碳化硅复合成为低密度、高导热率和低膨胀系数的电子封装材料,以解决电子电路的热失效问题。下面我们一起了解一下铝碳化硅材料(AlSiC)性能有哪些介绍 吧。
1) AlSiC具有高导热率(170~200W/mK)和可调的热膨胀系数(6.5~9.5×10-6/K),因此一方面AlSiC的热膨胀系数与半导体芯片和陶瓷基片实现良好的匹配,能够防止疲劳失效的产生,甚至可以将功率芯片直接安装到AlSiC基板上;另一方面AlSiC的热导率是可伐合金的十倍,芯片产生的热量可以及时散发。这样,整个元器件的可靠性和稳定性大大提高。
2) AlSiC是复合材料,其热膨胀系数等性能可通过改变其组成而加以调整,因此电子产品可按用户的具体要求而灵活地设计,能够真正地做到量体裁衣,这是传统的金属材料或陶瓷材料无法作到的。
3) AlSiC的密度与铝相当,比铜和Kovar轻得多,还不到Cu/W的五分之一,特别适合于便携式器件、航空航天和其他对重量敏感领域的应用。
4) AlSiC的比刚度(刚度除以密度)是所有电子材料中最高的:是铝的3倍,是W-Cu和Kovar的5倍,是铜的25倍,另外AlSiC的抗震性比陶瓷好,因此是恶劣环境(震动较大,如航天、汽车等领域)下的首选材料。
5) AlSiC可以大批量加工,但加工的工艺取决于碳化硅的含量,可以用电火花、金刚石、激光等加工。
6) AlSiC可以镀镍、金、锡等,表面也可以进行阳极氧化处理。
7) 金属化的陶瓷基片可以钎焊到镀好的AlSiC基板上,用粘结剂、树脂可以将印制电路板芯与AlSiC粘合。
8) AlSiC本身具有较好的气密性。但是,与金属或陶瓷电子封装后的气密性取决于合适的镀层和焊接。
9) AlSiC的物理性能及力学性能都是各向同性的。
由于AlSiC电子封装材料及构件具有高弹性模量、高热导率、低密度的优点, 而且可通过 SiC体积分数和粘接剂添加量等来调整膨胀系数,实现与GaAs芯片和氧化铝基板的热匹配; 同时可近净成形形状复杂的构件,因此生产成本也较低,使其在微波集成电路、功率模块和微处器盖板及散热板等领域得到广泛应用。力学性能与用作结构材料的铝基复合材料相比, AlSiC 电子封装材料的力学性能研究工作很少, 如果用作封装外壳材料, 其力学性能也是结构设计的重要数据。
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IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是功率变流装置的核芯。广泛应用于电动/混合动力汽车、轨道交通、变频家电、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。它具有输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、饱和压降低、安全工作区大和可耐高电压和大电流等一系列优点。
铝碳化硅是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有优秀的散热性能。IGBT基板是铝碳化硅材料做出的关于散热的产品,应用于高铁模块等领域。在新能源汽车中,IGBT所占整车约7%~10%的成本,是仅次于电池的第二高的成本元件。随着新能源汽车的发展趋势,IGBT将有着巨大的市场及潜力。
然而,IGBT虽然好用,但其对生产厂商技术要求较高。在工作时,IGBT基板会产生大量热量。因此,要维持IGBT芯片正常工作就必须解决其散热问题。另一方面,IGBT功率模块的性能也取决于散热性能程度。由此可见,IGBT基板散热是十分重要的事情。
思萃热控选择了铝碳化硅这种材料来解决IGBT散热问题,达到了十分优秀的结构。铝碳化硅具有低热膨胀系数特性,其膨胀系数与IGBT芯片十分接近。同时铝碳化硅还具有密度小等特性,其密度只有铜的三分之一,可以说是IGBT散热的完美材料。思萃热控结合铝碳化硅制作出的IGBT基板十分符合电动汽车高电压、大功率等散热要求。