AlSiC作为IGBT基板材料的卓越优势
在现代电子技术飞速发展的今天,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)已成为多个关键领域的核心组件,其在新能源汽车、白色家电、轨道交通等领域的应用日益广泛。然而,高功率IGBT的散热问题一直是制约其性能提升的关键难题。在这一背景下,基板材料的选择显得尤为重要。铝基碳化硅(AlSiC)作为一种高性能复合材料,正逐渐成为IGBT基板材料的首选。
AlSiC的独特性能使其在IGBT基板应用中具有显著优势。其导热率高达180~240W/mK,远超一般封装材料。这意味着AlSiC基板能够迅速将IGBT产生的热量传导出去,从而确保器件的稳定性和可靠性。在高功率工作环境下,这一点尤为重要,因为它直接关系到IGBT的使用寿命和性能表现。
其热膨胀系数可调,能够与半导体芯片和陶瓷基片实现良好的热匹配。这不仅可以防止因热膨胀系数不匹配而导致的疲劳失效,还有助于提高IGBT的整体可靠性。此外,AlSiC的轻质特性也是其受欢迎的原因之一。它的密度仅为铜的1/3,与铝相近,但在保持轻质的同时,其抗弯强度却与钢材相当。这使得AlSiC基板在抗震性能方面表现出色,特别适用于对重量和抗震性能要求较高的场合。
该材料比刚度在所有电子材料中名列前茅,是铝的3倍,铜的25倍。这使得AlSiC基板在承受机械应力时能够保持较好的稳定性。同时,其优异的抗震性能使其成为恶劣环境下的首选材料,如航天、汽车等领域。
此外,AlSiC还具有易加工、可镀覆多种金属、良好的气密性以及与陶瓷和金属的良好粘结性等特点。这些特性使得AlSiC基板在制造过程中具有较高的灵活性和便利性,有助于降低生产成本和提高生产效率。
总的来说,AlSiC作为一种高性能复合材料,在IGBT基板应用中具有显著优势。其高导热性、可调的热膨胀系数、轻质高强以及优异的抗震性能和比刚度等特点使得AlSiC成为IGBT基板材料的理想选择。
随着物联网、大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展,对半导体器件的需求日益增长,同时也催生了市场对半导体材料的需求,半导体材料行业迎来快速发展的黄金期。在国家鼓励半导体材料国产化的政策导向下,本土半导体材料厂商不断提升半导体产品技术水平和研发能力,逐渐打破了国外半导体厂商的垄断格局,推进中国半导体材料国产化进程,促进中国半导体材料行业的发展。
数据显示,2017-2019年中国半导体材料市场规模逐年增长,从2017年的76亿美元增长至2020年的94亿美元。据统计,2017-2020年全球62座新投产的晶圆厂中有26座来自中国大陆,占比超过40%,成为增速最快的地区。伴随着5G时代的来临,汽车电动化进程拉动IGBT规模增长。得益于对清洁能源高速增长的需求,IGBT市场规模将持续增长,IGBT市场在2020年的规模为54亿美元,从2020年到2026年将以7.5%的复合年增长率(CAGR)增长,预计2026年市场规模为84亿美元。新能源车应用作为IGBT市场规模的重要增量,2020年市场规模为为5.09亿美元,2020-2026年的复合年增长率为23%,预计2026年新能源车用IGBT市场规模为17亿美元。
随着5G、智慧物联网时代的到来,中国大陆的半导体产业得以在众多领域实现快速与全面布局,正逐步驱使全球半导体产业从韩国、中国台湾向中国大陆转移。目前,我国已经成为最大的半导体市场,并且继续保持最快的增速,预计半导体市场增长将持续带动半导体材料行业快速发展。