浅析铝碳化硅封装材料的发展历史

AlSiC研发较早，理论描述较为完善，有品种率先实现电子封装材料的规模产业化，满足半导体芯片集成度沿摩尔定律提高导致芯片发热量急剧升高、使用寿命下降以及电子封装的"轻薄微小"的发展需求。尤其在航空航天、微波集成电路、功率模块、军用射频系统芯片等封装分析作用极为凸现，成为封装材料应用开发的重要趋势。接下来，我们一起来探究铝碳化硅在封装材料的发展历史。

第一代是以塑料、金属、陶瓷等为主的简单封装，主要的用途是将器件封装在一起，起到包封、支撑、固定、绝缘等作用，这代封装材料目前主要用于电子产品的封装。

第二代封装材料，以可伐(Kovar)合金、钨铜合金产品为代表，其对于航天、航空、军工国防及以便携、袖珍为主要趋势的当代封装业来讲，有先天的劣势。

第三代封装材料即是以铝碳化硅为代表的产品。铝碳化硅(AlSiC)是将金属的高导热性与陶瓷的低热膨胀性相结合，能满足多功能特性及设计要求，具有高导热、低膨胀、高刚度、低密度、低成本等综合优异性能，是当今芯片封装的最新型材料。目前已大量应用到航空航天、新能源汽车、电力火车，微电子封装等领域。