AlSiC 部件通常采用哪些方法制造？
一、AlSiC 部件通常采用近净成形方法制造
AlSiC 部件通常采用近净成形方法制造，即通过 SiC 粘合剂浆料的金属注射成型制造 SiC 预制件，烧制以去除粘合剂，然后在压力下用熔融铝渗透。零件可以以足够的公差制造，不需要进一步加工。该材料完全致密，没有空隙，并且是密封的。其高刚度和低密度适合用于散热的翅片等壁薄的较大部件。 AlSiC 可以镀镍、镍银和镍金，或通过热喷涂其他金属。陶瓷和金属嵌件可以在铝渗透之前插入预制件中，从而形成气密密封。 [3] AlSiC也可以通过机械合金化制备。当使用较低程度的 SiC 含量时，零件可以由 AlSiC 片材冲压而成。
铝基体含有大量位错，这是材料强度的原因。由于碳化硅颗粒不同的热膨胀系数，在冷却过程中会引入位错。类似的材料是 Dymalloy，用铜银合金代替铝，用金刚石代替碳化硅。其他材料有碳纤维增强铜、金刚石增强铝、增强碳碳和热解石墨。
1、 AlSiC具有高导热率（180～240W/mK）和可调的热膨胀系数（6.5～9.5×10-6/K），因此一方面AlSiC的热膨胀系数与半导体芯片 和陶瓷基片实现良好的匹配，能够防止疲劳失效的产生,甚至可以将功率芯片直接安装到AlSiC基板上；另一方面AlSiC的热导率是可伐合金的十倍，芯片 产生的热量可以及时散发。这样，整个元器件的可靠性和稳定性大大提高。
2、AlSiC是复合材料，其热膨胀系数等性能可通过改变其组成而加以调整，因此产品可按用户的具体要求而灵活地设计，能够真正地做到量体裁衣，这是传统的金 属材料或陶瓷材料无法作到的。
3、AlSiC的密度与铝相当，比铜和Kovar轻得多，还不到Cu/W的五分之一，特别适合于便携式器件、航空航天和其他对重量敏感领域的应用。
4、 AlSiC的比刚度（刚度除以密度）是所有电子材料中最高的：是铝的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是铜的25倍，另外AlSiC的抗震性比陶瓷好，因此是恶劣环境（震动较大，如航天、汽车等领域）下的首选材料。
5、AlSiC可以大批量加工，但加工的工艺取决于碳化硅的含量，可以用电火花、金刚石、激光等加工。
6、AlSiC可以镀镍、金、锡等，表面也可以进行阳极氧化处理。
7、 金属化的陶瓷基片可以钎焊到镀好的AlSiC基板上，用粘结剂、树脂可以将印制电路板芯与AlSiC粘合。
8、AlSiC本身具有较好的气密性。但是，与金属或陶瓷封装后的气密性取决于合适的镀层和焊接。
9、 AlSiC的物理性能及力学性能都是各向同性的。 使用AlSiC材料的意义
10、可以使集成电路的封装性能大幅提高，使用铝碳化硅材料进行电子封装，使封装体与芯片的受热膨胀相一致，并起到良好的导热功能，解决了电路的热失效问题；
11、 批量使用AlSiC材料，可以降低封装成本。本公司对于长期和大批量的订货实行特别优惠，比目前使用W-Cu、Mo等贵金属材料价格要便宜得多；
12、 有效改良我国航天、军事、微波和其他功率微电子领域封装技术水平，提高功能，降低成本，加快我国航天和军工产品的先进化。例如，过去以可伐（Kovar） 材料作为器件封装外壳的地方，如果换作铝碳化硅外壳，重量就可减少为原来的三分之一，而导热性能则增加为原来的十倍。
13、 AlSiC封装材料的开发成功，标志着中国企业不再是在封装领域内一个单纯的蓝领和加工者的角色，而是已经有了自己的具备独立技术内核的封装领先产品，填 补了国内空白，在封装领域内是一项巨大的技术进步；使用西安创正新材料有限公司生产的AlSiC,就是支持民族工业，为相关领域的国产化做贡献。
14、 优优越的性能使AlSiC比W-Cu、Mo、BeO、Kovar、Mo-Cu、AlN、AlSi、Al2O3等现用封装材料具有更广阔的越的性能使AlSiC比W-Cu、Mo、BeO、Kovar、Mo-Cu、AlN、AlSi、Al2O3等现用封装材料具有更广阔的使用空间 AlSiC材料的性能 AlSiC7牌号密度3.0±0.05 g/cm3;抗弯强度400MPa体积分数：70±3%热导：≥180W/Mk,20℃）比热：0.75J/gk,20℃电阻率：2.1 x10-5 W·cm线膨胀系数8.0±0.5x10-6(50-150℃)
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